GEWTEC LTD.
上海晰微光電技術(shù)有限公司
產(chǎn)品中心
Product center
自由空間光電探測(cè)器模塊
￥ 0.00
0.00
自由空間光電探測(cè)器模塊采用有偏置或放大的硅二極管，或高速銦鎵砷二極管，覆蓋從200nm至1700nm的紫外、可見、近紅外和短波紅外波段。這些探測(cè)器提供快速的上升時(shí)間和寬帶寬，可立即檢測(cè)脈沖激光。硅版本具有1ns的上升時(shí)間和高達(dá)350MHz的帶寬，而銦鎵砷探測(cè)器則具有350ps的上升時(shí)間和5GHz的帶寬。硅放大探測(cè)器提供10至35ns的上升時(shí)間，并內(nèi)置固定增益、低噪聲的跨阻放大器，能夠測(cè)量弱或低功率光源，最低可達(dá)飛瓦級(jí)。自由空間光電探測(cè)器模塊采用緊湊設(shè)計(jì)，便于集成到空間受限的系統(tǒng)中，配備M4安裝螺紋用于立柱安裝，以及可拆卸的1英寸直徑光學(xué)支架，用于集成濾光片和透鏡。這些模塊非常適用于監(jiān)測(cè)快速脈沖激光、調(diào)制連續(xù)波光源，以及需要自由空間光學(xué)檢測(cè)的應(yīng)用，如激光雷達(dá)。
緊湊的設(shè)計(jì)，便于系統(tǒng)集成
波長范圍為200-1700nm的硅或銦鎵砷光電探測(cè)器
有偏置或放大模型可供選擇
產(chǎn)品
| 標(biāo)題 | 產(chǎn)品編碼 | 工作溫度 (°C) | 類型 | 上升時(shí)間 (ns) | 波長范圍 (nm) | 尺寸 (mm) | 有效區(qū) (mm2) | NEP (W/ Hz1/2) | 帶寬 (Hz) | 暗電流 Id (nA) | 電源 |
| 200 - 1100nm Biased Si Free-Space Photodetector | 29-514 | 10 - 50 | Si Photodetector | 1.00 | 200 - 1000 | 58 x 62.2 x 32 | 0.80 | 5.0x10^-14 | 350*10^6 (350 MHz) | 0.3(Typical); 2.5(Max) | 12V Battery (Not Included) |
| 320 - 1100nm Biased Si Free-Space Photodetector | 29-515 | 10 - 50 | Biased Si Photodetector | 35.00 | 320 - 1100 | 58 x 62.2 x 32 | 75.40 (? 9.8mm) | 2.4x10^-14 | 10*10^6 (10 MHz) | 0.9(Typical); 10(Max) | 12V Battery (Not Included) |
| 800 - 1700nm Biased InGaAs Free-Space Photodetector | 29-516 | 10 - 50 | Biased InGaAs Photodetector | 0.35 | 800 - 1700 | 58 x 59.5 x 24 | 0.01 | 2.0x10^-14 | 5*10^9 (5 GHz) | 0.3(Typical); 2.5(Max) | 12V Battery (Not Included) |
| 320 - 1100nm Amplified Si Free-Space Photodetector | 29-517 | 10 - 50 | Biased Si Photodetector | 35.00 | 320 - 1100 | 58.5 x 62.2 x 36 | 75.40 (? 9.8mm) | 2.6-71.7x10^-14 | DC-11*10^6 (DC-11 MHz) | #29-519 | |
| 350 - 1100nm Amplified Si Free-Space Photodetector | 29-518 | 10 - 50 | Amplified Si Photodetector | 10.00 | 350 - 1100 | 58.5 x 62.2 x 36 | 13.00 (3.6*3.6mm) | 1.2x10^-14 | DC-12*10^6 (DC-12 MHz) | #29-519 |